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瓦裏安Varian射線平板探測器不同類型的原理

更新時間:2021-09-14   點擊次數:1402次
   瓦裏安Varian射線平板探測器可生成高質量的CBCT及全景影像,適合中型牙科應用。非晶矽探測器已成為醫療、牙科及工業應用領域內CBCT成像設備的衡量標準。
  不同類型的射線平板探測器其原理也有差異:
  一、碘化銫型
  一般原理是首先將X射線通過熒光介質材料轉換為可見光,然後通過光敏元件將可見光信號轉換為電信號,最後通過A/D將模擬電信號轉換為數字信號。
  具體原理是:
  1.曝光前陽離子被存儲在矽表麵上以產生均勻的電荷,從而在矽表麵上產生電子場。
  2.曝光期間在矽中產生電子-空穴對,並向表麵釋放自由電子,從而在矽表麵產生了潛在的電荷像,並且每個點的電荷密度等於局部X射線強度。
  3.曝光後X射線圖像存儲在每個像素中。
  4.半導體轉換器讀取每個元素並完成模數轉換。
  二、CCD型
  一般原理是增強屏幕用作X射線交互介質,並添加CCD以數字化X射線圖像。
  具體原理以MOS電容器類型為例:
  在P型Si的表麵形成一層SiO2,然後在其上蒸鍍一層多晶矽作為電極,並在P-上施加電壓。電極的Si型襯底,以在電極A的低勢能區或勢阱下形成它。勢阱的深度與電壓有關。電壓越高,勢阱越深。光生電子存儲在勢阱中。光生電子的數量與光的強度成正比。因此,存儲的電荷量也反映了該點的亮度。存儲在數百萬個感光單元中的電荷形成與該圖像相對應的電荷圖像。
  三、非晶硒型
  一般原理是光電導半導體將接收到的X射線光子直接轉換為電荷,然後通過薄膜晶體管陣列將電信號讀出並數字化。
  具體原理:
  1.X射線入射光子激發非晶硒層中的電子-空穴對。
  2.電子和空穴在外部電場的作用下以相反的方向移動以產生電流。電流的大小與入射的X射線有關。光子數成正比。
  3.這些電流信號被存儲在TFT的電極間電容上,並且每個TFT和電容形成像素單元。